取向硅鋼的制備過(guò)程需要經(jīng)過(guò)冷變形加工和再結晶退火處理，大壓下率冷軋將使取向硅鋼內部的位錯密度升高，高位錯密度所帶來(lái)的位錯能儲存在變形基體內，在后續的退火過(guò)程中鋼板內部組織會(huì )發(fā)生根本的轉變，發(fā)生再結晶。冷軋的壓下率不同則位錯密度不同，冷軋后儲存的位錯能也會(huì )存在差異，從而對再結晶過(guò)程的驅動(dòng)作用也會(huì )不同。

　　科研工作者對無(wú)抑制劑取向硅鋼不同壓下率下初次再結晶退火后的顯微組織、宏觀(guān)織構和微觀(guān)織構進(jìn)行了研究。結果表明，冷軋板織構主要為α取向線(xiàn){001}＜110＞、{112}＜110＞和{111}＜110＞織構以及γ取向線(xiàn){111}＜110＞織構。初次再結晶退火后，α取向線(xiàn)織構減弱，織構主要為γ取向線(xiàn){111}＜112＞織構。隨冷軋壓下率的增加，冷軋和初次再結晶織構強度增加。當壓下率為88%時(shí)，初次再結晶退火后Goss織構和{111}＜112＞織構強度最高，最有利于發(fā)生二次再結晶。

　　EBSD分析顯示，Goss取向晶粒大多與{111}＜112＞取向晶粒相鄰。提高冷軋壓下率，Goss取向晶粒和{111}＜112＞取向晶粒都增加，Goss取向晶粒偏離理想取向角度減少。